Samsung stellt leistungsstarken und energieeffizienten DDR5-Speicherchip vor

Samsung Electronics hat die Entwicklung eines 512GB DDR5 Speichermoduls angekündigt. Dies ist die erste DRAM-Einheit des Unternehmens, die nach dem neuesten DDR5-Standard hergestellt wurde, der im Juli letzten Jahres von der JEDEC Solid State Technology Association festgelegt wurde. Die mit High-K-Metal-Gate-Technologie (HKMG) gefertigte Hardware bietet Datentransferraten von bis zu 7200 Mbit/s, mehr als doppelt so schnell wie DDR4.

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Das Unternehmen verwendete acht Schichten von 16-Gbit/s-DRAM-Chips, um dieses Modul zu konstruieren. Laut dem südkoreanischen Tech-Giganten trägt die Verwendung der HKMG-Technologie anstelle von traditionellem Siliziumoxid in der Isolationsschicht dazu bei, den Leckstrom im Vergleich zu früheren Typen von Speicherchips zu reduzieren. Außerdem verbraucht der neue Speicher etwa 13 % weniger Strom als bisherige Chips, was ihn nach Angaben des Unternehmens besonders für Rechenzentren attraktiv macht.

Samsung hat bereits 2018 damit begonnen, die HKMG-Technologie auf seine Speicherprodukte anzuwenden. Seit letztem Jahr wird auch das Verfahren der extremen Ultraviolettbestrahlung in der DRAM-Fertigung eingesetzt. Anlässlich der Veröffentlichung des rekordverdächtigen Speicherchips gaben US-Intel-Vertreter bekannt, dass sie eng mit Samsung zusammenarbeiten, um DDR5-Speicher zu liefern, der für die Leistung optimiert und mit den kommenden Intel Xeon Scalable-Prozessoren, Codename Sapphire Rapids, kompatibel ist.